三星電子在2024年第二季度的業(yè)績報告中展現(xiàn)了驚人的財務表現(xiàn)，其營業(yè)利潤同比飆升了1452%，達到10.4萬億韓元（約合人民幣551億元）。這一數(shù)據(jù)不僅顯著超過了市場分析師的普遍預期，也標志著三星電子自2022年下半年以來利潤狀況的顯著好轉。AI需求引爆，三星、SK海力士扭虧為盈，業(yè)績飆升三星第二季度的業(yè)績表現(xiàn)大幅超出市場預期，利潤飆升14倍。而就在2022年下半年，三星電子曾面臨設備解決方案部門及其整體利潤的明顯下滑，營業(yè)利潤一度跌至1萬億韓元以下。然而，從2023年下半年開始，隨著市場環(huán)境的改善，三星電子的利潤開始回升，三季度和四季度的營業(yè)利潤均回到了2萬億韓元以上。進入2024年，第一季度的營業(yè)利潤達到了6.61萬億韓元，相比去年同期的0.64萬億韓元，增長了十倍之多。隨著AI需求激增導致內存競爭加劇，三星三季度將把DRAM和NAND的價格上調15%—20%，預計三星電子下半年的業(yè)績也將有所改善。與此同時，另一家韓國存儲芯片巨頭SK海力士也在第二季度實現(xiàn)了業(yè)績的顯著提升。SK 海力士將在 7 月 26 日公布第二季度財報。市場預計，其營業(yè)利潤將達到5萬億韓元（約合人民幣263.5億元），創(chuàng)下 6 年來的最高紀錄。這表明整個存儲芯片行業(yè)正受益于AI相關需求的增長，尤其是在高帶寬存儲器（HBM）領域，預計未來幾年的復合年增長率（CAGR）將達到70%。據(jù)統(tǒng)計，過去一個月內，至少 19 位分析師上調了對該公司的預測，理由包括 AI 需求的巨大潛力，以及本月公布的財報可能帶來正面驚喜。高盛（Goldman Sachs Group）將SK海力士目標價調高至290,000韓元。花旗集團（Citigroup）也將SK海力士目標價升至350,000韓元。Infinity全球資產管理公司投資長Roh Jongwon表示，SK海力士股價估值目前并未完全反映高帶寬內存（HBM）的潛力，HBM利潤幾乎較傳統(tǒng)DRAM芯片高出一倍，但市場目前仍同等對待這兩項產品的估值。就在去年二季度，SK海力士營業(yè)虧損達到2.88萬億韓元，環(huán)比增長15%；凈虧損達到2.99萬億韓元，環(huán)比下降16%；季度營業(yè)虧損率為39%，凈虧損率達到41%。然而，伴隨著人工智能的出現(xiàn)，這一困境已經出現(xiàn)轉機。今年第一季度，SK海力士結合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。第一季度收入創(chuàng)同期歷史新高，營業(yè)利潤創(chuàng)同期歷史第二高。憑借HBM等面向AI的存儲器技術領導力，SK海力士提升了面向AI服務器的產品銷量，同時持續(xù)實施以盈利為主的經營活動，從而實現(xiàn)了營業(yè)利潤環(huán)比增長734%的業(yè)績。此次業(yè)績的爆炸性增長，主要得益于人工智能（AI）需求的高漲，這直接推高了存儲芯片的價格。作為全球最大的存儲芯片供應商，三星電子和SK海力士在AI浪潮中占據(jù)了有利位置，受益于數(shù)據(jù)中心、云計算以及各類智能設備對高性能存儲解決方案（主要是HBM）的強勁需求。AI服務器需要處理大量并行數(shù)據(jù)，要求高算力和大帶寬，高算力代表著AI服務器處理數(shù)據(jù)的速度更快，而大帶寬代表服務器能夠同時訪問的數(shù)據(jù)更多，HBM通過提供高帶寬和低延遲，滿足了AI服務器對高效數(shù)據(jù)處理的需求，使得AI模型訓練和推理過程更快更高效，這是驅動HBM市場需求逐年增長的主要原因。在此背景下，HBM已經成為眼下市場主流AI訓練芯片的“標配”，中泰證券在今年3月份的一份研報中指出，目前主流AI訓練芯片都配有多顆HBM，以英偉達公司生產的AI訓練芯片H100為例，1 顆英偉達H100芯片使用臺積電封裝技術將7 顆芯片（1顆 GPU+6 顆HBM）封在一起。5月，知名市場研究機構DIGITIMES發(fā)布報告指出，2024年全球服務器用GPU產值（包含存儲器在內的板卡與次系統(tǒng)）將達1219億美元，其中，高端服務器GPU產值比重將逾八成，達1022億美元。作為AI訓練芯片的關鍵部件，HBM的訂單也隨著AI服務器一起暴增。存儲巨頭持續(xù)加碼擴產布局在SK海力士和美光科技的財報電話會上，兩家公司的高管均表示自家的HBM訂單早已爆滿，2025年之前的產能都已售罄。三星電子也在舉辦的2024年第一季度財報電話會上強調：“2024年，我們的HBM位元供應實際上比去年增加了三倍多。我們已經與客戶完成了相關供應的討論。2025年，我們將繼續(xù)擴大供應，至少比去年增加兩倍或更多。”面對來勢洶洶的訂單需求，存儲巨頭正在加碼布局。在SK海力士2024年第一季度的財報電話會上，該公司管理層就表示，為了積極支持不斷增長的AI內存需求以及傳統(tǒng)DRAM需求，決定投資建設新的DRAM生產基地M15X，目標是在2025年底前啟用。此外，SK海力士還決定在美國印第安納州西拉斐特建設一個先進的AI內存封裝生產設施，該設施總投資約38.7億美元，從2028年開始大規(guī)模生產包括HBM在內的下一代AI內存產品。SK海力士正在擴產其第5代1b DRAM，以應對HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK海力士已向多家設備公司下訂單。通過這項投資，SK海力士的1b DRAM產能預計將從第一季度的每月1萬片晶圓增加到年底的每月9萬片，SK海力士還計劃到明年上半年將1b DRAM產量增加到14萬至15萬片。6月30日，韓國SK海力士母公司SK集團表示，到2028年，SK海力士將投資103萬億韓元（746億美元），以加強其芯片業(yè)務，專注于人工智能。SK集團還表示，計劃到2026年確保80萬億韓元的資金，用于投資人工智能和半導體領域，以及為股東回報提供資金，并對超過175家的子公司進行精簡。三星也不甘落后，三星電子將在年內推出高帶寬內存（HBM）的3D封裝服務，計劃明年推出的第六代HBM芯片HBM4將采用這種封裝方式。據(jù)報道，三星電子再度重組HBM內存團隊，調整先進封裝組織結構。三星電子此前成立了 HBM 產能質量提升團隊，專責 HBM4 開發(fā)，同原本的 HBM 團隊并行。新成立的“HBM 開發(fā)團隊” 將取代之前的兩個團隊，總攬 HBM3E 和 HBM4 內存的開發(fā)工作，集中人力物力在 HBM 業(yè)務上追趕領先者 SK 海力士。三星電子還將先進封裝業(yè)務團隊更名為“AVP 開發(fā)團隊”，將原團隊的銷售營銷組織分拆到各個業(yè)務部門，并將 HBM 封裝開發(fā)人員并入到 HBM 開發(fā)團隊以提升后者競爭力。三星電子還決定重組設備技術研究所，強化半導體工藝及設備的技術支撐能力，為半導體工藝效率的提升提供更廣泛的技術支持。三星電子亦正著手升級該公司位于韓國平澤的工廠，預計完工時間為2027年4月。此外，美光也正在追趕，消息稱，美光正在研發(fā)的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星電子更具優(yōu)勢。美光科技則還計劃擴張位于日本廣島的產線。美光科技預計將投入6000億-8000億日圓（約合51億美元）。這座新廠將于2026年初動工，并安裝EUV設備。HBM4成為競爭熱點隨著大廠不斷投入，HBM技術迭代越來越快。行業(yè)標準制定組織JEDEC固態(tài)技術協(xié)會近日表示，HBM4標準即將定稿，在更高的帶寬、更低的功耗、增加裸晶/堆棧性能之外，還進一步提高數(shù)據(jù)處理速率。據(jù)悉，相比較HBM3，HBM4的每個堆棧通道數(shù)增加了一倍，物理尺寸更大。而圍繞著HBM，廠商們也都圍繞未來的HBM 4技術各出奇招。SK海力士正在推進TSV和MR-MUF的技術發(fā)展，這些技術在HBM性能中發(fā)揮著關鍵作用。雖然MR-MUF被廣泛使用，但MR-MUF 擁有容易翹曲、導致晶圓末端彎曲、空洞現(xiàn)象（即保護材料在某些區(qū)域分布不均勻）也會對 MR-MUF 的可靠性產生負面影響等缺點。SK hynix表示，與HBM開發(fā)初期相比，他們成功地減少了翹曲現(xiàn)象，目前我們正在開發(fā)克服這一問題的技術。下一步，抉擇會聚焦在減少空隙。此外，SK海力士還致力于芯粒（Chiplet）及混合鍵合（Hybrid bonding）等下一代先進封裝技術的開發(fā)，以支持半導體存儲器和邏輯芯片之間的異構集成，同時促進新型半導體的發(fā)展。當中，Hybrid bonding也是被看作是HBM封裝的又一個新選擇。但根據(jù)之前的計劃不一樣，SK海力士打算在下一代的HBM 4中持續(xù)采用尖端封裝技術MR-MUF。作為替代方案而出現(xiàn)的混合鍵合技術預計由于 HBM 標準的放寬而緩慢引入。今年四月份，SK海力士與臺積電簽署了一份諒解備忘錄，雙方將合作生產下一代HBM，并通過先進的封裝技術提高邏輯和HBM的集成度。該公司計劃通過這一舉措著手開發(fā)HBM4，即HBM系列的第六代產品，預計將于2026年開始量產。兩家公司將首先致力于提高安裝在HBM封裝最底部的基礎芯片的性能，并同意合作優(yōu)化SK海力士的HBM和臺積電的CoWoS技術的整合，合作應對客戶對HBM的共同要求。和SK海力士不一樣，在HBM封裝上，三星采用的TC-NCF（thermal compression with non-conductive film），也就是非導電薄膜熱壓縮。隨著發(fā)展，三星逐漸減少了 NCF 材料的厚度，將 12 層第五代 HBM3E 的厚度降至 7 微米 (μm)。三星電子在全公司范圍內集中力量，在2月宣布了“Advanced TC-NCF”技術。該技術可以減少 TC-NCF 工藝中必要薄膜的厚度，從而在保持 HBM 高度的同時增加半導體層數(shù)。三星電子將MOSFET工藝應用到HBM3E，并正在積極考慮從HBM4開始應用FinFET工藝。因此，與 MOSFET 應用相比，HBM4 的速度提高了 200%，面積縮小了 70%，性能提高了 50% 以上。這是三星電子首次公開HBM4規(guī)格。有報道指出，三星電子最近在內部制定了一項計劃，將原來計劃安裝在HBM4中1b DRAM改為1c DRAM。此外，據(jù)韓媒etnews報道，三星電子和SK海力士已經開始進行高帶寬存儲器（HBM）晶圓的工藝技術轉換，這一轉換以防止晶圓翹曲的新技術引入為核心，被認為是針對下一代HBM。預計隨著工藝轉換，材料和設備供應鏈也將發(fā)生變化。據(jù)悉三星電子和SK海力士，最近正在與合作伙伴一起開發(fā)將HBM用晶圓剝離（解鍵合）工藝改為激光方法。當應用激光時，相關的材料和設備供應鏈變化是不可避免的。現(xiàn)有的機械方式由日本東京電子和德國SüSS MicroTec占據(jù)市場前兩位。激光方式可能會有更多的設備企業(yè)進入，預計將展開激烈的爭奪戰(zhàn)。三星仍然面臨內憂外患雖然三星正受益于由AI熱潮推動的行業(yè)復蘇，但這家科技巨頭并非高枕無憂。在AI熱潮中關鍵的HBM芯片領域，三星面臨著SK海力士的強勁競爭。有消息稱，三星電子的HBM3e（高帶寬內存）芯片通過了英偉達的質量測試，三星將就大規(guī)模生產HBM并供應給英偉達一事展開談判。今年5月，有消息稱三星最新HBM芯片尚未通過英偉達檢測。消息人士稱，三星產品未能通過測試的主要原因是臺積電在檢測中“采用了基于 SK 海力士 HBM3E 產品設定的檢測標準”。隨后，三星電子聲明稱，所謂芯片因發(fā)熱和能耗問題尚未通過檢測的說法“不實”，“檢測正順利、按計劃推進”。此外，三星自身也存在管理方面的內憂：就在三星公布業(yè)績的幾天前，三星工會組織者計劃在其28000多名成員中舉行為期三天的罷工，其中包括主要芯片工廠的成員，原因是工資糾紛。上月，該公司發(fā)生了一場涉及少數(shù)員工的罷工，這是該公司成立55年來的首次罷工。當?shù)貢r間7月10日，韓國三星電子公司最大工會組織“全國三星電子工會”宣布開啟無限期大罷工。全國三星電子工會原計劃8日起進行為期3天的首次罷工，再從15日起進行為期5天的第二次罷工。但因資方沒有對話之意，工會決定啟動無限期大罷工。此次罷工可能是三星電子近年來經營狀況惡化的反映。業(yè)內人士表示，三星電子因在半導體行業(yè)和人工智能芯片領域未能及時響應市場需求，造成去年公司半導體業(yè)務出現(xiàn)虧損。工會指出，這一危機發(fā)生的根源在于管理層的決策失誤，而非員工的責任。
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