自主研發噴墨步進式納米壓印設備突破10nm壓印光刻工藝

據報道，近日，我國自主研發的首臺PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設備，實現了多項關鍵突破，可支持線寬小于10nm壓印光刻工藝。

設備交付信息

2025 年 8 月 1 日，璞璘科技自主設計研發的首臺 PL-SR 系列噴墨步進式納米壓印設備順利通過驗收并交付至國內特色工藝客戶。

關鍵技術突破

攻克涂膠工藝瓶頸：成功攻克噴墨涂膠工藝多項技術瓶頸，通過創新材料配方與工藝調控，提高膠滴密度與鋪展度，實現了納米級的壓印膜厚，達到平均殘余層＜10nm、殘余層變化＜2nm、壓印結構深寬比＞7:1 的技術指標。

解決模板面型控制難題：突破了納米壓印模板面型控制的技術難點，自主研發的納米壓印模板面型控制技術，解決了石英模板與硅晶圓翹曲率導致的貼合難題，確保模板和襯底完美貼合。

實現無殘余層壓印工藝：針對壓印殘余層控制的技術難點，對壓印設備、材料、工藝系統進行優化，可實現無殘余層壓印工藝。

設備功能特點

高精度噴墨打印涂膠：采用高精度的噴墨打印式涂膠方案，還可輔助高精度的對準功能，能實現高精度拼接對準精度要求的納米壓印工藝。

滿足模板拼接需求：具備拼接復雜結構的性能，最小可實現 20mm×20mm 的壓印模板均勻拼接，最終可實現 300mm（12 英寸）晶圓級超大模板。

應用領域及優勢

功率半導體領域：可降低成本，如新能源汽車的 IGBT 芯片，傳統光刻需多次曝光疊加，單片晶圓加工成本超千元，而 PL-SR 通過一次壓印即可成型，成本直接砍掉 40%。同時，生產的 IGBT 芯片擊穿電壓穩定性比光刻工藝提升 12%。

MEMS 傳感器領域：能實現 90 度直角的 “完美雕刻”，生產的加速度傳感器測量精度比傳統工藝提升 20%，為無人機姿態控制、工業機器人精細操作提供更可靠的 “感官基礎”。

存儲芯片領域：可將單層級成本降低 30%，且層數越多優勢越明顯，為國內存儲芯片廠商突破制程瓶頸提供了新的技術路徑。